Dual In-Series Small-Signal High-Voltage Switching Diode The GSD2004S-V-GS08 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Manufacturer**: Vishay  
- **Part Number**: GSD2004S-V-GS08  
- **Type**: Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology**: TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.3 A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20 A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 28 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.6 V to 1.4 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60 pF (typical)  
- **Package**: SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on Vishay's datasheet for the GSD2004S-V-GS08.