- **Type**: Phototransistor  
- **Package**: Through-hole, 4-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Spectral Response Range**: 400 nm to 1100 nm (peak at 940 nm)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (V_ECO)**: 5 V (max)  
- **Collector Current (I_C)**: 20 mA (max)  
- **Power Dissipation (P_d)**: 75 mW (max)  
- **Operating Temperature Range**: -25°C to +85°C  
- **Storage Temperature Range**: -30°C to +100°C  
- **Isolation Voltage (V_ISO)**: 5000 V_rms (min)  
- **Current Transfer Ratio (CTR)**: 100% (min at I_F = 10 mA, V_CE = 5 V)  

The device is commonly used in isolation and sensing applications due to its high isolation voltage and infrared sensitivity.  

(Source: SHARP datasheet for GP2S04.)