19 A - 600 V - very fast IGBT The GP19NC60HD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 19A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 160W  
- **Maximum Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 1.8V (typical at I_C = 19A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 200ns (typical)  
- **Package**: TO-247  

This IGBT is designed for high-efficiency switching applications, such as motor drives and power converters.