MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR The part GN1L4M is manufactured by NEC. It is a semiconductor device, specifically a photocoupler (optocoupler). Below are the key specifications:

1. **Type**: Photocoupler with a GaAs infrared LED and a silicon phototransistor.  
2. **Isolation Voltage**: 5,000 Vrms (min).  
3. **Current Transfer Ratio (CTR)**: 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V.  
4. **Input Forward Current (IF)**: 50 mA (max).  
5. **Reverse Voltage (VR)**: 5 V (max).  
6. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30 V (min).  
7. **Emitter-Collector Voltage (VECO)**: 5 V (max).  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +100°C.  
9. **Package**: DIP4 (Dual In-line Package, 4-pin).  

These specifications are based on NEC's standard datasheet for the GN1L4M photocoupler. For exact performance under specific conditions, refer to the official NEC documentation.