Hybrid transistor The part GN1F4M-T1 is manufactured by NEC. It is a high-speed, low-power GaAs MESFET (Gallium Arsenide Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Frequency Range:** Up to 6 GHz  
- **Power Output:** 1W (30 dBm) typical  
- **Gain:** 10 dB typical  
- **Voltage Supply:** +5V  
- **Current Drain:** 300 mA typical  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

This transistor is commonly used in RF amplifiers, wireless communication systems, and other high-frequency applications.