NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBTA42 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by GTM. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP BJT  
2. **Package**: SOT-23  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -500mA  
7. **Power Dissipation (PD)**: 300mW  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 40–250  
9. **Transition Frequency (fT)**: 50MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on GTM's datasheet for the GMBTA42 transistor.