PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBT3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Sanyo. Key specifications include:  

- **Type**: PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 300 (at V_CE = -1V, I_C = -10mA)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBT3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various semiconductor companies. Below are the typical specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Package**: SOT-23 (common)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -200mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (varies with conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: ~250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications may vary slightly depending on the manufacturer. For exact details, refer to the datasheet from the specific supplier.