NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBT3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by GTM.  

Key specifications:  
- **Type**: NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 200mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300  
- **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
- **Package**: SOT-23  

These are the manufacturer-provided specifications for the GMBT3904 transistor by GTM.

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR **Introduction to the GMBT3904 Transistor from SANYO**  

The **GMBT3904** is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SANYO**, designed for amplification and switching applications. Known for its reliability and performance, this component is widely used in consumer electronics, industrial circuits, and communication devices.  

With a maximum collector current (**Ic**) of **200mA** and a collector-emitter voltage (**Vceo**) of **40V**, the GMBT3904 is suitable for low-power applications. Its high current gain (**hFE**) of **100 to 300** ensures efficient signal amplification, while a transition frequency (**ft**) of **300MHz** allows for stable operation in high-frequency circuits.  

The transistor is housed in a compact **SOT-23** surface-mount package, making it ideal for space-constrained PCB designs. Its low saturation voltage and fast switching characteristics enhance energy efficiency in digital circuits.  

Common applications include audio amplifiers, signal processing, and driver stages in embedded systems. Engineers favor the GMBT3904 for its consistent performance, thermal stability, and compatibility with automated assembly processes.  

As a fundamental component in modern electronics, the **GMBT3904** remains a versatile choice for designers seeking a dependable NPN transistor for various circuit implementations.

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBT3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **GMB (Guangdong Mingyang Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Typical Applications:**  
- Switching circuits  
- Amplification  
- Signal processing  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.