### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Switching circuits  
- Amplification  
- General-purpose PNP transistor applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official GTM documentation.