NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The GMBT2222A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by GTM. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on GTM's datasheet for the GMBT2222A transistor.