New Generation Dynamic RAM The **GM71C4256BJ-70** is a high-performance **256K x 16-bit (4Mb) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast data access and low power consumption. Manufactured with advanced CMOS technology, this component offers a **70ns access time**, making it suitable for high-speed computing, networking equipment, and embedded systems where reliable memory performance is critical.  

Featuring a **3.3V operating voltage**, the GM71C4256BJ-70 ensures efficient power usage while maintaining robust data retention. Its **fully static operation** eliminates the need for refresh cycles, simplifying system design and improving overall stability. The device supports **asynchronous operation**, allowing seamless integration into various digital systems without complex timing constraints.  

With a **16-bit wide data bus**, this SRAM enables efficient data handling in applications requiring high bandwidth. It is available in a **48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)**, ensuring compact board space utilization. The GM71C4256BJ-70 is also compatible with industrial temperature ranges, making it suitable for demanding environments.  

Engineers often select this component for its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for memory-intensive applications. Its industry-standard pinout and performance characteristics ensure broad compatibility with existing designs.

New Generation Dynamic RAM The GM71C4256BJ-70 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) chip manufactured by Hyundai Electronics (now SK Hynix). Here are its key specifications:

- **Type**: 256K x 4-bit (1Mb) Fast Page Mode DRAM  
- **Speed**: 70ns access time  
- **Voltage**: 5V operating voltage  
- **Package**: 20-pin SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Refresh**: 4K refresh cycles every 4ms  
- **Operating Temperature**: 0°C to 70°C  
- **I/O Interface**: TTL-compatible  

This chip was commonly used in older computer systems and embedded applications.