IC Phoenix logo

Home ›  G  › G4 > GM1JE55200AE

GM1JE55200AE from SHARP

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

GM1JE55200AE

Manufacturer: SHARP

HIGH-LUMINOSITY LED LAMP

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
GM1JE55200AE SHARP 50000 In Stock

Description and Introduction

HIGH-LUMINOSITY LED LAMP The part GM1JE55200AE is manufactured by SHARP. It is a semiconductor component, specifically a photocoupler (optocoupler) designed for signal isolation. Key specifications include:

- **Isolation Voltage**: 5000 Vrms  
- **Current Transfer Ratio (CTR)**: 50% (minimum)  
- **Input Current (IF)**: 16 mA (typical)  
- **Output Voltage (VCEO)**: 30 V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +110°C  
- **Package Type**: DIP4 (Dual In-line Package, 4-pin)  

This component is commonly used in applications requiring electrical isolation, such as power supplies, industrial controls, and communication systems.  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet from SHARP or authorized distributors.)

Application Scenarios & Design Considerations

HIGH-LUMINOSITY LED LAMP # Technical Documentation: GM1JE55200AE Infrared Emitting Diode

 Manufacturer : SHARP  
 Component Type : High-Power Infrared Emitting Diode (IRED)  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The GM1JE55200AE is a GaAlAs infrared emitting diode designed for high-output applications requiring reliable, long-distance optical transmission. Its primary use cases include:

-  Active Infrared Illumination : Provides uniform, high-intensity IR light for night vision surveillance systems, security cameras, and automotive night vision assists.
-  Optical Sensing Systems : Used in proximity sensors, object detection, and presence sensing in industrial automation and consumer electronics.
-  Data Transmission : Suitable for short-range optical communication links, such as IrDA-compliant devices, remote controls, and industrial data links where EMI immunity is critical.
-  Biometric and Medical Devices : Integrated into pulse oximeters, vein detection systems, and other medical sensors requiring stable, wavelength-specific IR sources.

### 1.2 Industry Applications
-  Security & Surveillance : Integrated into IP cameras, ANPR systems, and perimeter monitoring devices for 24/7 operation.
-  Automotive : Employed in driver monitoring systems, in-cabin occupancy detection, and night vision pedestrian detection.
-  Industrial Automation : Used in machine vision for part inspection, barcode reading, and robotic guidance in low-light environments.
-  Consumer Electronics : Found in smart home motion detectors, touchless switches, and VR/AR tracking systems.
-  Telecommunications : Deployed in optical interrupters and fiber optic link test equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  High Optical Output : Typical radiant intensity of 20 mW/sr at 100 mA enables long-range operation.
-  Wavelength Consistency : Peak emission at 850 nm (±15 nm) aligns with silicon photodetector sensitivity and provides low visible glow.
-  Compact Package : Surface-mount design (2.0×1.25×1.1 mm) allows high-density PCB layouts.
-  Reliability : SHARP’s proven GaAlAs technology ensures stable performance over temperature variations and long operational life (>100,000 hours).
-  Fast Switching : Rise/fall times <100 ns support modulation for data transmission up to several Mbps.

#### Limitations:
-  Thermal Management Required : High forward current (max 100 mA continuous) necessitates proper heat sinking or derating in ambient temperatures above 25°C.
-  Limited Viewing Angle : Typical 60° half-angle may require lenses or arrays for wide-area illumination.
-  ESD Sensitivity : Requires standard ESD precautions during handling and assembly (Class 1C per JESD22-A114).
-  Optical Interference : Susceptible to ambient IR noise (sunlight, incandescent lighting); often requires optical filtering or modulated drive schemes.

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

| Pitfall | Consequence | Solution |
|---------|-------------|----------|
|  Overdriving without thermal management  | Reduced lifespan, wavelength drift, catastrophic failure | Implement current limiting, use PWM drive, add thermal vias or heatsinks |
|  Insufficient ESD protection  | Latent damage, reduced output, premature failure | Use ESD-safe handling, add TVS diodes on drive lines, follow JEDEC standards |
|  Poor optical alignment  | Reduced system sensitivity, inconsistent performance | Use mechanical alignment features, consider active alignment during assembly |
|  Inadequate driver current capability  | Underperformance, unstable output | Use constant-current drivers with ≥150 mA capability and fast switching |

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components
-  Photodet

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips