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FDP3682 from FSC,Fairchild Semiconductor

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FDP3682

Manufacturer: FSC

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 100V, 32A, 36mOhm

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDP3682 FSC 10350 In Stock

Description and Introduction

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 100V, 32A, 36mOhm The **FDP3682** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, DC-DC converters, motor control circuits, and other high-efficiency systems.  

Built using advanced **PowerTrench® technology**, the FDP3682 offers reduced conduction and switching losses, enhancing overall energy efficiency. Its robust design ensures reliable operation under high current and voltage conditions, with a **30V drain-source voltage (VDS) rating** and a **continuous drain current (ID) of up to 55A**.  

The MOSFET features a **low gate charge (Qg)** and **low thermal resistance**, contributing to improved thermal management and reduced power dissipation. Its compact **TO-252 (DPAK) package** allows for space-saving PCB layouts while maintaining excellent heat dissipation properties.  

Engineers and designers often select the FDP3682 for its balance of performance, efficiency, and durability in demanding power electronics applications. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET provides a dependable solution for high-current switching needs.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 100V, 32A, 36mOhm# FDP3682 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: FSC (Fairchild Semiconductor)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDP3682 is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for demanding power management applications. This component excels in scenarios requiring efficient switching and robust current handling capabilities.

 Primary Applications: 
-  Switch-Mode Power Supplies (SMPS) : Particularly in buck, boost, and flyback converter topologies operating at frequencies up to 500 kHz
-  Motor Control Systems : DC motor drivers, brushless DC motor controllers, and stepper motor drivers
-  Power Management Units : Voltage regulation modules, load switches, and power distribution systems
-  Lighting Systems : LED drivers and ballast control circuits
-  Battery Management : Protection circuits, charging systems, and power path management

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Electric power steering systems
- Engine control units (ECUs)
- Battery management systems for electric vehicles
- LED lighting controllers

 Industrial Automation 
- Programmable logic controller (PLC) power sections
- Industrial motor drives
- Robotics power systems
- Process control equipment

 Consumer Electronics 
- High-efficiency power adapters
- Gaming console power systems
- High-performance computing power supplies
- Audio amplifier power stages

 Telecommunications 
- Base station power systems
- Network equipment power supplies
- Telecom rectifier systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : 9.5 mΩ maximum at VGS = 10V, ensuring minimal conduction losses
-  Fast Switching Speed : Typical rise time of 15 ns and fall time of 20 ns, reducing switching losses
-  High Current Capability : Continuous drain current rating of 62A at TC = 25°C
-  Robust Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 0.5°C/W) for efficient heat dissipation
-  Avalanche Energy Rated : Capable of handling inductive load switching without external protection

 Limitations: 
-  Gate Charge Sensitivity : Requires careful gate drive design due to moderate gate charge (65 nC typical)
-  Voltage Constraints : Maximum VDS of 100V limits high-voltage applications
-  ESD Sensitivity : Standard MOSFET ESD precautions required during handling
-  Parasitic Capacitance : Miller capacitance (CRSS = 120 pF typical) requires consideration in high-frequency designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
*Pitfall*: Insufficient gate drive current leading to slow switching and excessive power dissipation
*Solution*: Implement dedicated gate driver ICs capable of delivering 2-3A peak current with proper sink/source capability

 Thermal Management 
*Pitfall*: Inadequate heatsinking causing thermal runaway and device failure
*Solution*: Calculate power dissipation (P = I² × RDS(ON) + switching losses) and select appropriate heatsink with thermal interface material

 Voltage Spikes 
*Pitfall*: Inductive kickback exceeding maximum VDS rating during turn-off
*Solution*: Implement snubber circuits and ensure proper freewheeling diode placement for inductive loads

 PCB Layout Problems 
*Pitfall*: Long gate traces causing oscillation and EMI issues
*Solution*: Keep gate drive loops compact and use ground planes for return paths

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (TC442x, IR21xx series)
- Requires drivers with minimum 8V output for full enhancement
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>50 ns)

 Microcontrollers 
- Direct drive from 3.3V MCU outputs not

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