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FDMS7670AS from VISHAY

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FDMS7670AS

Manufacturer: VISHAY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDMS7670AS VISHAY 8659 In Stock

Description and Introduction

The part FDMS7670AS is manufactured by Vishay. It is a PowerPAK® SO-8 dual N-channel MOSFET with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 60 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12 A (per MOSFET)  
- **RDS(on) (Max)**: 8.5 mΩ at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Power Dissipation (PD)**: 3.1 W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: PowerPAK® SO-8  

Additional features include low gate charge, fast switching, and avalanche energy rated.  

For exact details, refer to the official Vishay datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

# FDMS7670AS Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FDMS7670AS is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET optimized for  synchronous buck converter applications  in computing and server power systems. Typical implementations include:

-  CPU/GPU Voltage Regulator Modules (VRMs)  - Primary switching element in multiphase buck converters
-  Point-of-Load (POL) Converters  - Secondary synchronous rectification in 12V input applications
-  Server Power Supplies  - High-frequency switching in DC-DC conversion stages
-  Telecom Infrastructure  - Intermediate bus converter applications requiring high efficiency

### Industry Applications
 Data Center Equipment : Primary use in server motherboards for processor power delivery, particularly in 48V to 12V/5V conversion stages. The component's low RDS(on) and fast switching characteristics make it ideal for high-current applications up to 60A.

 Automotive Systems : Engine control units, infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS) where high-temperature operation and reliability are critical.

 Industrial Automation : Motor drives, robotics control systems, and programmable logic controller (PLC) power supplies requiring robust thermal performance.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Exceptional Efficiency : RDS(on) of 1.0mΩ typical at VGS = 10V enables >95% efficiency in typical VRM applications
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 0.5°C/W) allows for compact designs without excessive heatsinking
-  Fast Switching : QG(total) of 65nC typical enables operation at frequencies up to 1MHz
-  Avalanche Ruggedness : Capable of handling unclamped inductive switching events

 Limitations: 
-  Gate Drive Requirements : Requires careful gate drive design due to moderate QGD (18nC typical)
-  Voltage Constraints : Maximum VDS of 60V limits use in higher voltage applications
-  Cost Considerations : Premium performance comes at higher cost compared to standard MOSFETs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive switching losses
-  Solution : Use gate drivers capable of delivering 2-3A peak current with proper bypass capacitance

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate PCB copper area leading to thermal runaway
-  Solution : Implement minimum 2oz copper with thermal vias to inner layers and ground plane

 Parasitic Oscillations 
-  Pitfall : Ringing during switching transitions due to layout parasitics
-  Solution : Minimize loop area in high di/dt paths and use gate resistors (2-10Ω)

### Compatibility Issues

 Gate Driver Compatibility 
- Requires logic-level compatible drivers (4.5V VGS(th) typical)
- Incompatible with older 12-15V gate drive systems without level shifting

 Controller Synchronization 
- Optimal performance with modern multiphase PWM controllers (e.g., Intersil ISL6611, TI TPS53632)
- Potential timing issues with older single-phase controllers

 Decoupling Requirements 
- Must be paired with low-ESR ceramic capacitors (X7R/X5R) close to drain and source terminals
- Bulk capacitance requirements vary with switching frequency and load current

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Keep high-current paths short and wide (minimum 100 mil width for 20A)
- Use multiple vias in parallel for current sharing
- Place input capacitors within 5mm of drain connection

 Gate Drive Routing 
- Route gate drive traces away from high dv/dt nodes
- Use ground-referenced gate

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