P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The part FDG6308P is manufactured by FAIRCHILD. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** FDG6308P  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** 8-Pin SOIC  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 4.7A  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

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P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The FDG6308P is a P-Channel Logic Level MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -14A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -3.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 450pF  
- **Package**: SOT-23  

This MOSFET is designed for low-voltage switching applications.