Dual N-Channel, Digital FET The part FDG6303N is manufactured by Fairchild Semiconductor. It is a Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V  
- **Package**: SOIC-8  

The device is designed for applications requiring high efficiency and compact size, such as power management in portable electronics.