Dual N-Channel Digital FET The part FDG6303N_NL is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). It is a Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET).  

Key specifications:  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.7A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.