Dual N-Channel/ Digital FET The FDG6303 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:

1. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
2. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (at 25°C)  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**:  
   - 50mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
   - 60mΩ (at V_GS = -4.5V, I_D = -3.1A)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
8. **Total Gate Charge (Q_g)**: 11nC (at V_GS = -10V)  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF  
10. **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF  
11. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
12. **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
13. **Rise Time (t_r)**: 30ns  
14. **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns  
15. **Fall Time (t_f)**: 20ns  
16. **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's official datasheet for the FDG6303.