Dual P-Channel, Digital FET The FDG6302P is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.8A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -15A  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (3-pin)  

The FDG6302P is designed for low-voltage, high-speed switching applications.