20V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDG327NZ is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **R_DS(on) (Max)**: 50mΩ at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDG327NZ.

20V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDG327NZ is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). It is a dual N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.7A per channel  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Package**: SOIC-8  

For FAI (First Article Inspection) specifications, refer to the manufacturer's datasheet or quality control documentation for exact tolerances and testing criteria.