P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The part FDG326P is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
- FAI for FDG326P typically includes verification of electrical parameters, physical dimensions, and material composition.  
- Key parameters checked may include threshold voltage (VGS(th)), drain-source on-resistance (RDS(on)), and gate charge (Qg).  
- Compliance with industry standards such as AEC-Q101 (for automotive-grade components) may be required if specified.  
- Documentation such as PPAP (Production Part Approval Process) may be part of the FAI process for qualification.  

For exact FAI requirements, refer to the manufacturer's datasheet or quality control documentation.