N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET The FDG315N is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor.  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typ)  
- **Package Type:** SOT-23  

This transistor is designed for low-voltage, high-speed switching applications.