Digital FET, P-Channel The part FDG314P is manufactured by FAIRCHILD. It is a Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V
- **Drain Current (ID):** 1.4A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.35Ω (max) at VGS = 4.5V, ID = 1.4A
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.7V to 1.4V
- **Input Capacitance (Ciss):** 100pF (typ) at VDS = 15V, VGS = 0V
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** SOIC-8

This information is based solely on the provided knowledge base.