N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The FDG311N is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FAI). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±8V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.7A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 6.8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W (at 25°C)
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.25Ω (max) at V_GS = 4.5V, I_D = 1.7A
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.8V to 2.5V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 200pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23 (3-pin)

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.