20V Integrated N-Channel PowerTrench?MOSFET and Schottky Diode The part **FDFMA2N028Z** is manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: PowerTrench®  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 25A  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**:
  - 4.5mΩ (VGS = 10V)  
  - 5.8mΩ (VGS = 4.5V)  
- **Gate Charge (Qg)**: 13nC (VGS = 4.5V)  
- **Package**: Power33™ (3.3mm x 3.3mm DFN)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications, such as DC-DC converters and load switching.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)