Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode The FDFM2P110 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -22A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(on) (Max)**: 32mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Package**: Power33 (3.3mm x 3.3mm DFN)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high efficiency, such as power management in portable devices.

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode The part **FDFM2P110** is manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications:  

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Current (I_D)**: 2.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for switching applications in power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.  

(Note: Verify datasheet for exact values as specifications may vary slightly.)