Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150mohm **Introduction to the FDFC2P100 by Fairchild Semiconductor**  

The **FDFC2P100** is a high-performance P-channel MOSFET developed by Fairchild Semiconductor, designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With its advanced trench technology, this component offers low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities, making it suitable for switching and power regulation tasks.  

Key features of the FDFC2P100 include a drain-source voltage (VDS) rating of -100V, ensuring robust performance in high-voltage circuits. Its compact Power33 package enhances thermal efficiency while saving board space, making it ideal for space-constrained designs. Additionally, the MOSFET provides fast switching speeds, reducing power losses in applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching.  

Engineers value the FDFC2P100 for its reliability and efficiency, particularly in industrial, automotive, and consumer electronics where stable power delivery is critical. Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that this component meets stringent performance and durability standards.  

For designers seeking a dependable P-channel MOSFET with high voltage tolerance and low power dissipation, the FDFC2P100 presents a compelling solution for modern power electronics.