30V N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDD8876 is manufactured by FAIRCHILD. It is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -8.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 3W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.025Ω (at V_GS = -10V, I_D = -8.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  

The device is designed for applications requiring high efficiency and low power dissipation, such as power management in portable electronics. It is packaged in a TO-252 (DPAK) surface-mount package.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official FAIRCHILD datasheet.

30V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDD8876** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of 7.5 mΩ at 10V, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current switching circuits.  

Featuring a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 120A, the FDD8876 is well-suited for demanding power conversion tasks, including motor control, DC-DC converters, and load switching. Its advanced PowerTrench® technology ensures superior thermal performance and switching efficiency, reducing power dissipation in high-frequency applications.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent heat dissipation. Its robust design includes a fast body diode for improved reverse recovery performance, enhancing reliability in inductive load scenarios.  

Engineers favor the FDD8876 for its balance of efficiency, power handling, and thermal stability, making it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where high power density and reliability are critical. Its specifications ensure optimal performance in both switching and linear operation modes.

30V N-Channel PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDD8876 Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDD8876 is a high-performance N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, now part of ON Semiconductor. This component is engineered to deliver efficient power management in a variety of applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

With a low on-resistance (RDS(on)) of just 9.7 mΩ at 10 V, the FDD8876 minimizes power loss and enhances thermal performance. Its robust 30 V drain-to-source voltage (VDS) rating and continuous drain current (ID) of up to 60 A make it suitable for high-current switching applications. The MOSFET also features a fast switching speed, contributing to improved efficiency in high-frequency circuits.  

Housed in a compact TO-252 (DPAK) package, the FDD8876 offers excellent power density while maintaining reliable thermal characteristics. Its advanced trench technology ensures low gate charge (Qg) and reduced switching losses, making it ideal for energy-sensitive designs.  

Engineers favor the FDD8876 for its durability, efficiency, and versatility in demanding environments. Whether used in automotive systems, industrial automation, or consumer electronics, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs.  

Fairchild Semiconductor's legacy of quality and innovation is evident in the FDD8876, making it a preferred choice for designers seeking high-performance power management components.