25V N-Channel PowerTrench?MOSFET The **FDD8778** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high switching speeds, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **60A**, the FDD8778 delivers robust performance in demanding environments. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a low gate charge (Qg) and fast switching characteristics, which contribute to minimized power dissipation.  

Housed in a **TO-252 (DPAK)** package, the FDD8778 offers excellent thermal performance and mechanical durability. Its compact form factor allows for efficient PCB space utilization while maintaining high reliability.  

Engineers and designers favor the FDD8778 for its balance of power handling, efficiency, and thermal management, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications. Its robust design ensures stable operation under high-current conditions, reinforcing its reputation as a dependable power MOSFET solution.

25V N-Channel PowerTrench?MOSFET The part FDD8778 is manufactured by FAIRCHILD. According to Ic-phoenix technical data files, it is a P-Channel PowerTrench MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -44A  
- **R_DS(on) (Max)**: 19mΩ at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on the available datasheet details. For further specifications, refer to the official FAIRCHILD documentation.