N-Channel UniFETTM MOSFET 200V, 5A, 690m? The FDD7N20TM is a power MOSFET manufactured by FAI (Fairchild Semiconductor International). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 7A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 28A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 45W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
9. **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications for the FDD7N20TM MOSFET as provided by FAI.

N-Channel UniFETTM MOSFET 200V, 5A, 690m? **Introduction to the FDD7N20TM Power MOSFET**  

The FDD7N20TM is an N-channel Power MOSFET from Fairchild Semiconductor, designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 7A, this component is well-suited for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FDD7N20TM minimizes power losses, enhancing overall system performance. Its robust design ensures reliable operation in demanding environments, making it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining effective thermal dissipation. Additionally, its avalanche-rated capability and improved body diode performance contribute to increased durability in high-stress conditions.  

Engineers favor the FDD7N20TM for its balance of efficiency, thermal management, and cost-effectiveness. Whether used in switching regulators or load control circuits, this component delivers consistent performance, making it a practical choice for modern power electronics designs.