250V N-Channel MOSFET The FDD6N25TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (仙童). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDD6N25TM.

250V N-Channel MOSFET The FDD6N25TM is an N-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 40ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

The manufacturer is not specified (N/A).

250V N-Channel MOSFET The FDD6N25TM is an N-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.

250V N-Channel MOSFET The FDD6N25TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 250V  
- **Current Rating (I_D)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Type**: N-Channel  
- **Technology**: MOSFET  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDD6N25TM.