30V N-Channel PowerTrench SyncFET **Introduction to the FDD6688S Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDD6688S is a high-performance N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor to deliver efficient power management in a variety of applications. With a low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capability, this component is optimized for switching applications where energy efficiency and thermal performance are critical.  

Featuring a compact and robust TO-252 (DPAK) package, the FDD6688S is well-suited for power supplies, DC-DC converters, motor control circuits, and other high-current switching systems. Its fast switching characteristics help minimize power losses, making it ideal for both industrial and consumer electronics.  

Key specifications include a drain-source voltage (V_DSS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of 50A, ensuring reliable operation under demanding conditions. Additionally, the MOSFET incorporates advanced trench technology, enhancing its efficiency and thermal dissipation properties.  

Engineers and designers favor the FDD6688S for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in battery management systems, load switches, or voltage regulation circuits, this MOSFET provides a dependable solution for modern power electronics challenges.

30V N-Channel PowerTrench SyncFET The **FDD6688S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching, making it ideal for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a continuous drain current (ID) of **75A**, the FDD6688S delivers robust performance in demanding environments. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the MOSFET features a **low gate charge (Qg)**, which minimizes drive requirements and improves switching speed.  

The FDD6688S is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, providing a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Its design supports high power density applications where space and efficiency are critical.  

Engineers and designers often select the FDD6688S for its reliability and performance in power conversion circuits, battery management systems, and load switching applications. Its combination of low RDS(on), high current handling, and thermal efficiency makes it a versatile choice for modern electronic designs.