The FDD6688 is an N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) to deliver high efficiency and reliability in power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of 75A, this MOSFET is well-suited for switching circuits in DC-DC converters, motor control, and load switching systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of just 3.3mΩ at 10V gate drive, the FDD6688 minimizes conduction losses, improving overall system performance. Its fast switching characteristics and robust thermal design make it ideal for high-frequency applications where energy efficiency is critical.  

The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal dissipation. Additionally, it incorporates Fairchild’s advanced trench technology, ensuring enhanced power handling and durability under demanding conditions.  

Engineers often select the FDD6688 for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration in power electronics designs. Whether used in industrial, automotive, or consumer applications, this MOSFET provides a dependable solution for efficient power switching.