30V N-Channel PowerTrench SyncFET The **FDD6676AS** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 60A, the FDD6676AS ensures reliable operation under demanding conditions. Its advanced PowerTrench® technology minimizes conduction losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the MOSFET’s fast switching characteristics help reduce power dissipation, contributing to improved thermal performance.  

The device is housed in a compact TO-252 (DPAK) package, offering a balance between thermal dissipation and board space optimization. Its robust construction ensures durability in industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers appreciate the FDD6676AS for its combination of high power density and reliability, making it a preferred choice for modern power electronics designs. Whether used in voltage regulation or load switching, this MOSFET delivers consistent performance while maintaining energy efficiency.

30V N-Channel PowerTrench SyncFET The part FDD6676AS is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 60A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **RDS(ON) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FDD6676AS.)