-35V P-Channel PowerTrench?MOSFET The part FDD6637 is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). It is a P-Channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -12A  
- **R_DS(ON) (Max)**: 0.025Ω at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

-35V P-Channel PowerTrench?MOSFET The **FDD6637** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Built with advanced trench technology, the FDD6637 ensures reduced conduction losses and improved thermal performance, enhancing overall system efficiency. Its compact **TO-252 (DPAK)** package allows for space-saving PCB designs while maintaining robust power dissipation.  

Key specifications include a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **50A**, depending on operating conditions. The device also supports fast switching speeds, minimizing switching losses in high-frequency applications.  

Engineers favor the FDD6637 for its reliability, durability, and compatibility with modern power electronics. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent performance under demanding conditions.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FDD6637 meets stringent industry standards, making it a dependable choice for power-efficient designs.