IC Phoenix logo

Home ›  F  › F7 > FDD6612

FDD6612 from N/A

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

FDD6612

Manufacturer: N/A

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDD6612 N/A 192 In Stock

Description and Introduction

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET # Introduction to the FDD6612 Power MOSFET  

The FDD6612 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. Manufactured using advanced trench technology, this component offers low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

With a drain-to-source voltage (VDSS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 25A, the FDD6612 is well-suited for applications such as DC-DC converters, motor control, and load switching. Its low gate charge (QG) ensures minimal switching losses, enhancing overall system efficiency.  

The MOSFET features a compact TO-252 (DPAK) package, providing a balance between thermal performance and board space optimization. Its robust construction ensures reliable operation in demanding environments.  

Key specifications include a typical RDS(on) of 8.5mΩ at 10V gate drive and a maximum power dissipation of 45W. These characteristics make the FDD6612 a practical choice for designers seeking a high-performance, cost-effective solution for power electronics applications.  

By combining efficiency, durability, and compact form factor, the FDD6612 serves as a versatile component in modern power systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDD6612 FSC 20118 In Stock

Description and Introduction

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET The **FDD6612** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component offers low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

With a **30V drain-to-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **12A**, the FDD6612 is well-suited for use in DC-DC converters, motor control, and battery protection systems. Its **low gate charge (Qg)** ensures efficient switching performance, reducing power losses in high-frequency applications.  

The MOSFET features **enhanced thermal performance** due to its advanced trench technology, which helps maintain reliability under demanding conditions. Additionally, its **lead-free and RoHS-compliant** construction aligns with modern environmental standards.  

Housed in a **TO-252 (DPAK) package**, the FDD6612 provides a compact footprint while allowing effective heat dissipation. Engineers and designers favor this component for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness in power electronics.  

Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the FDD6612 delivers dependable performance, making it a practical choice for modern power management solutions.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips