The FDD6296 is a high-performance N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a wide range of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of 60A, this MOSFET is well-suited for power switching in DC-DC converters, motor control circuits, and load switching systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of just 6.5mΩ at 10V gate drive, the FDD6296 minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency. Its fast switching capability ensures reliable performance in high-frequency applications while maintaining thermal stability. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint for space-constrained designs.  

The FDD6296 incorporates advanced trench technology, improving power density and thermal dissipation. Its robust construction ensures durability under demanding conditions, making it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics. Engineers favor this MOSFET for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness in power conversion and management solutions.  

Fairchild Semiconductor’s FDD6296 exemplifies modern MOSFET design, delivering high current handling with minimal losses, making it an ideal component for modern power electronics.