N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET The FDD6035 is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -25A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -5.3A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60pF  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDD6035.

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET The part **FDD6035** is manufactured by **仙童进口 (Fairchild Semiconductor)**.  

### Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Channel Type**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDD6035 MOSFET.

N-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDD6035 Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDD6035 is a high-performance P-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. With a robust voltage rating of -30V and a continuous drain current of -14A, this component is well-suited for power switching, DC-DC conversion, and load control circuits.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) of 45mΩ at 10V gate drive, the FDD6035 minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in power systems. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the compact TO-252 (DPAK) package ensures space-saving integration into PCB designs.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, providing improved thermal performance and reliability under demanding conditions. Additionally, its avalanche-rated capability ensures durability in transient voltage scenarios.  

Engineers often select the FDD6035 for power supplies, motor drivers, and battery management systems due to its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness. Fairchild Semiconductor's reputation for quality further reinforces its suitability for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure proper implementation within their circuits.