30V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDD6030BL** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component features a low **on-resistance (RDS(on))** of 30 mΩ at a **gate-source voltage (VGS)** of -10 V, ensuring efficient power handling with minimal losses. With a **drain-source voltage (VDS)** rating of -30 V and a continuous **drain current (ID)** of -12 A, the FDD6030BL is well-suited for switching and load control in various electronic circuits.  

Constructed using advanced **TrenchFET® technology**, this MOSFET delivers enhanced thermal performance and fast switching speeds, making it ideal for applications such as **DC-DC converters, motor drivers, and battery management systems**. Its compact **TO-252 (DPAK)** package allows for space-efficient PCB designs while maintaining robust thermal dissipation.  

The FDD6030BL also includes built-in **ESD protection**, improving reliability in demanding environments. Engineers value its combination of low gate charge and high current capability, which contributes to reduced power consumption and improved system efficiency.  

For designers seeking a reliable P-channel MOSFET for medium-power applications, the FDD6030BL offers a balanced blend of performance, durability, and cost-effectiveness.