N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27mOhms The FDD5810 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -22A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -5.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 10nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDD5810.