N-Channel Logic Level Trench?MOSFET! 60V, 36A, 27m? The **FDD5810_F085** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (*RDS(on)*) and fast switching speeds, making it ideal for use in power supplies, DC-DC converters, motor control circuits, and other high-efficiency systems.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **75A**, the FDD5810_F085 delivers robust performance in demanding environments. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall energy efficiency. The MOSFET also features a **low gate charge (Qg)**, which minimizes drive requirements and improves thermal performance.  

Packaged in a **TO-252 (DPAK)** form factor, the FDD5810_F085 offers excellent thermal dissipation and mechanical reliability, making it suitable for space-constrained designs. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers and designers can leverage this MOSFET to achieve high power density and improved system efficiency in industrial, automotive, and consumer electronics applications. Its combination of low resistance, fast switching, and thermal stability makes it a dependable choice for modern power electronics.