The FDD5680 is a high-performance P-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of applications. With a low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capability, this component is well-suited for switching and power regulation tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring a compact and robust TO-252 (DPAK) package, the FDD5680 ensures reliable thermal performance and durability under demanding conditions. Its fast switching characteristics make it ideal for use in DC-DC converters, motor control circuits, and battery management systems. Additionally, the device incorporates advanced trench technology, optimizing power efficiency while minimizing conduction losses.  

Key specifications include a drain-source voltage (V_DS) of -30V and a continuous drain current (I_D) of -25A, making it a versatile choice for medium-power applications. The FDD5680 also provides enhanced electrostatic discharge (ESD) protection, ensuring long-term reliability in sensitive environments.  

Engineers and designers seeking a dependable P-channel MOSFET for power-efficient designs will find the FDD5680 a practical solution, balancing performance, thermal management, and cost-effectiveness. Its compatibility with surface-mount technology further simplifies integration into modern electronic systems.

The FDD5680 is a high-performance P-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) to deliver efficient power management in a variety of electronic applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and a compact surface-mount package, this component is optimized for switching and power regulation tasks where minimal power loss and thermal efficiency are critical.  

Featuring a -30V drain-to-source voltage (VDS) rating and a continuous drain current (ID) of -12A, the FDD5680 is well-suited for use in DC-DC converters, load switches, and battery management systems. Its fast switching capability ensures responsive performance in high-frequency circuits, while the low gate charge (Qg) enhances efficiency in portable and energy-sensitive designs.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a balance of thermal performance and board space savings. Its robust construction and reliable operation make it a preferred choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers value the FDD5680 for its combination of electrical characteristics, durability, and ease of integration, making it a dependable solution for modern power electronics challenges.