-12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The FDD306P is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

1. **Type**: P-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
3. **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.7A (at T_C = 25°C)  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -15A  
6. **Power Dissipation (P_D)**: 1W (at T_A = 25°C)  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -3.7A  
8. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
10. **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
11. **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on standard testing conditions (T_A = 25°C unless noted). For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.