Key specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A  
- **R_DS(on) (Max)**: 8.5mΩ @ 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 110W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDD2572_F085.

The FDD2572_F085 is a high-performance electronic component widely used in power management and switching applications. Designed to meet rigorous industry standards, this device offers efficient power handling, low on-resistance, and fast switching capabilities, making it suitable for a variety of circuits, including DC-DC converters, motor control, and load switching systems.  

Built with advanced semiconductor technology, the FDD2572_F085 ensures minimal power loss and enhanced thermal performance, contributing to improved energy efficiency in electronic designs. Its robust construction allows it to operate reliably under high-voltage and high-current conditions, making it a preferred choice for engineers working on industrial and automotive applications.  

Key features of the FDD2572_F085 include a low gate charge, which reduces switching losses, and a compact form factor that supports space-constrained designs. Additionally, its high durability ensures long-term stability in demanding environments.  

Whether integrated into power supplies, inverters, or battery management systems, the FDD2572_F085 provides a dependable solution for modern electronic applications. Its combination of performance, efficiency, and reliability makes it a valuable component in optimizing power delivery and control in various electronic systems.