N-Channel Power Trench #174 MOSFET, 60V, 50A, 14mOhms The **FDD14AN06LA0** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of 14A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 42mΩ at 10V gate drive, the FDD14AN06LA0 minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency. Its fast switching capability ensures reduced switching losses, making it ideal for high-frequency applications. The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining excellent thermal performance.  

The PowerTrench® technology incorporated in this device delivers superior performance by optimizing charge balance and reducing gate charge, further improving efficiency. Additionally, the FDD14AN06LA0 is designed with robust avalanche energy ratings, ensuring reliability under demanding conditions.  

Engineers and designers can leverage this MOSFET for applications requiring high power density and thermal stability, benefiting from its balance of performance, efficiency, and durability. Its specifications make it a versatile choice for modern power electronics solutions.