N-Channel PowerTrench ?MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm **Introduction to the FDD10AN06A0 Power MOSFET**  

The **FDD10AN06A0** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of 10A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Key features of the FDD10AN06A0 include a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.045Ω, which minimizes conduction losses and enhances energy efficiency. Its fast switching capability ensures reduced switching losses, making it ideal for high-frequency applications. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance.  

Additionally, the MOSFET incorporates robust protection against overcurrent and thermal stress, ensuring reliable operation in demanding environments. Its low gate charge (Q_g) further improves switching efficiency, making it a preferred choice for designers seeking a balance between performance and cost-effectiveness.  

The FDD10AN06A0 is a versatile component that delivers reliable power handling and efficiency, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications where high-performance power switching is essential.

N-Channel PowerTrench ?MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm The part **FDD10AN06A0** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 13nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for power switching applications.