30V Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET The FDC855N is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -10V:** 0.055Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.085Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
FAI requirements are typically customer-specific and involve verifying dimensions, electrical parameters, and material compliance. For the FDC855N, FAI would ensure:  
- **Electrical parameters match datasheet specs** (V_DS, I_D, R_DS(on), etc.).  
- **Mechanical dimensions** per TO-252 package standards.  
- **Material and marking** compliance with manufacturer specs.  
- **Reliability tests** (if required) per industry standards (e.g., AEC-Q101 for automotive).  

No additional guidance or recommendations are provided.

30V Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET The FDC855N is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -8.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -34A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDC855N.