Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench TM MOSFET The FDC658P is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key FAI (First Article Inspection) Specifications for FDC658P:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Type:** P-Channel MOSFET  
3. **Voltage Ratings:**  
   - **V_DSS (Drain-Source Voltage):** -30V  
   - **V_GS (Gate-Source Voltage):** ±20V  
4. **Current Ratings:**  
   - **I_D (Continuous Drain Current):** -5.8A (at T_C = 25°C)  
   - **I_DM (Pulsed Drain Current):** -20A  
5. **On-Resistance (R_DS(on)):**  
   - 50mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -5.3A  
   - 65mΩ (max) at V_GS = -4.5V, I_D = -3.7A  
6. **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
7. **Package:** TO-252 (DPAK)  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
9. **Switching Characteristics:**  
   - **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** Typically 10ns  
   - **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** Typically 30ns  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and should be verified during FAI testing.