Dual N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET The FDC6561AN is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Package**: SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max)**: 50mΩ at V_GS = -4.5V  
- **R_DS(ON) (Max)**: 70mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDC6561AN.