Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET The FDC655BN is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -3.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for power management applications, such as switching and amplification in low-voltage circuits.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FDC655BN.)